功率

我国在太空成功验证第三代半导体材料制造的功率器件

新华社上海2月2日消息,以碳化硅(SiC)为代表的第三代半导体材料是我国制造业转型升级的驱动因素和重要保证。记者从中国科学院微电子研究所获悉,我国在太空成功验证了首款国产碳化硅(SiC)功率器件,第三代半导体材料有望牵引我国航天电源升级换代。据中国科学院微电子研究所刘新宇研究员介绍,功率器件是实现电能变换和控制的核心,被誉为“电力电子系统的心脏”,是最为基础、应用最为广泛的器件之一。随着硅基功率器

我国在太空成功验证第三代半导体材料制造的功率器件

【我国在太空成功验证第三代半导体材料制造的功率器件】财联社2月2日电,以碳化硅(SiC)为代表的第三代半导体材料是我国制造业转型升级的驱动因素和重要保证。记者从中国科学院微电子研究所获悉,我国在太空成功验证了首款国产碳化硅(SiC)功率器件,第三代半导体材料有望牵引我国航天电源升级换代。据中国科学院微电子研究所刘新宇研究员介绍,功率器件是实现电能变换和控制的核心,被誉为“电力电子系统的心脏”,是最

新突破!我国在太空成功验证第三代半导体材料制造的功率器件

澎湃新闻从中国科学院微电子研究所获悉,我国在太空成功验证了首款国产碳化硅(SiC)功率器件,第三代半导体材料有望牵引我国航天电源升级换代。功率器件是实现电能变换和控制的核心,被誉为电力电子系统的心脏,是最为基础、最为广泛应用的器件之一。随着硅(Si)基功率器件的性能逼近极限,以碳化硅(SiC)为代表的第三代半导体材料,以禁带宽度大、击穿场强高、饱和电子速度快等优势,可大幅提高空间电源的传输功率和能

新突破!我国在太空成功验证第三代半导体材料制造的功率器件

澎湃新闻从中国科学院微电子研究所获悉,我国在太空成功验证了首款国产碳化硅(SiC)功率器件,第三代半导体材料有望牵引我国航天电源升级换代。功率器件是实现电能变换和控制的核心,被誉为电力电子系统的心脏,是最为基础、最为广泛应用的器件之一。随着硅(Si)基功率器件的性能逼近极限,以碳化硅(SiC)为代表的第三代半导体材料,以禁带宽度大、击穿场强高、饱和电子速度快等优势,可大幅提高空间电源的传输功率和能

三星电子宣布全面退出LED业务,聚焦功率半导体与Micro LED领域

(央视财经《天下财经》)由于集团整体业绩未达预期,韩国三星电子最近开始进行业务结构调整,其中,半导体部门决定退出发光二极管(LED业务),引发各界关注。最近,三星电子半导体部门决定全面退出LED业务。该团队此前主要负责电视用、智能手机闪光灯用LED等产品的生产和销售。2020年LG电子宣布退出LED业务,三星电子这次的决定,意味着韩国两大电子企业都退出LED业务。三星电子在2012年通过合并三星L

多产线满负荷生产,士兰微2024业绩大增

1月22日,士兰微(600460.SH)发布了其2024年度的业绩预告。根据公告,公司预计2024年度实现归母净利润为1.5亿元到1.9亿元,与上年同期的亏损3578.58万元相比,实现了同比扭亏为盈。扣除非经常性损益后的净利润为1.84亿元到2.24亿元,同比增加1.25亿元到1.65亿元,同比增长212.39%到280.31%。 士兰微作为国内少有的IDM(设计与制造一体)半导体企业,面对日益

我国在太空成功验证第三代半导体材料制造的功率器件

据新华社上海2月2日电 以碳化硅(SiC)为代表的第三代半导体材料是我国制造业转型升级的驱动因素和重要保证。记者从中国科学院微电子研究所获悉,我国在太空成功验证了首款国产碳化硅(SiC)功率器件,第三代半导体材料有望牵引我国航天电源升级换代。据中国科学院微电子研究所刘新宇研究员介绍,功率器件是实现电能变换和控制的核心,被誉为“电力电子系统的心脏”,是最为基础、应用最为广泛的器件之一。随着硅基功率器

我国在太空成功验证第三代半导体材料制造的功率器件

新华社上海2月2日电(记者张建松、张泉)以碳化硅(SiC)为代表的第三代半导体材料是我国制造业转型升级的驱动因素和重要保证。记者从中国科学院微电子研究所获悉,我国在太空成功验证了首款国产碳化硅(SiC)功率器件,第三代半导体材料有望牵引我国航天电源升级换代。据中国科学院微电子研究所刘新宇研究员介绍,功率器件是实现电能变换和控制的核心,被誉为“电力电子系统的心脏”,是最为基础、应用最为广泛的器件之一

我国在太空成功验证第三代半导体材料制造的功率器件

以碳化硅(SiC)为代表的第三代半导体材料是我国制造业转型升级的驱动因素和重要保证。记者从中国科学院微电子研究所获悉,我国在太空成功验证了首款国产碳化硅(SiC)功率器件,第三代半导体材料有望牵引我国航天电源升级换代。 据中国科学院微电子研究所刘新宇研究员介绍,功率器件是实现电能变换和控制的核心,被誉为“电力电子系统的心脏”,是最为基础、应用最为广泛的器件之一。 随着硅基功率器件的性能逼近极限,以