我国在太空成功验证第三代半导体材料制造的功率器件 【我国在太空成功验证第三代半导体材料制造的功率器件】财联社2月2日电，以碳化硅（SiC）为代表的第三代半导体材料是我国制造业转型升级的驱动因素和重要保证。记者从中国科学院微电子研究所获悉，我国在太空成功验证了首款国产碳化硅（SiC）功率器件，第三代半导体材料有望牵引我国航天电源升级换代。据中国科学院微电子研究所刘新宇研究员介绍，功率器件是实现电能变换和控制的核心，被誉为“电力电子系统的心脏”，是最 新闻 2025年02月05日 0 点赞 0 评论 30 浏览
新华全媒＋｜我国在“膜上存光”时长破世界纪录 新华社北京2月28日电（记者张漫子）我国科学家领衔的一项重要成果突破世界纪录——基于高硬度的单晶碳化硅薄膜，研制出的光声量子存储器，以4035秒的信息存储时长刷新世界纪录。该研究成果已发表于国际学术期刊《自然-通讯》。为什么要在薄膜上“存储光”？“光的存储一直是世界难题。”该研究第一作者、北京量子信息科学研究院副研究员刘玉龙说，一直运动的光子停不下来，想要捕捉都很困难，想要存储则难度更大。而声音信 新闻 2025年03月01日 0 点赞 0 评论 26 浏览